在雪崩击穿效应中，当外加电压足够高时，半导体材料中的载流子（电子和空穴）会被加速并碰撞产生更多的载流子，形成雪崩倍增效应，吸收突波压敏电阻，导---阻值迅速下降。而在齐纳击穿效应中，则是由于半导体材料中的缺陷或杂质能级在强电场作用下发生隧穿效应，使得电流能够直接通过。
压敏电阻的这种非线性特性使得它成为一种理想的过电压保护元件。当电路中出现过电压时，压敏电阻能够迅速响应并将过电压钳位到一个相对安全的电压水平，从而保护后续电路中的敏感元件免受损害。同时，压敏电阻还具有一定的自恢复能力，在过电压消失后能够自动恢复到高阻态，等待下一次的保护动作。
需要注意的是，压敏电阻在工作过程中会消耗一定的能量，并可能产生一定的热量。因此，在设计和使用压敏电阻时需要考虑其热稳定性和散热性能，以---其能够长期稳定地工作。此外，还需要根据具体的电路需求选择合适的压敏电阻型号和参数，以达到佳的过电压保护效果。
压敏电阻（voltage dependent resistor， vdr）的工作原理主要基于其内部的半导体材料对电场的非线性响应。这种电阻器的电阻值会随着外加电压的变化而发生---的非线性变化。
具体来说，当外加电压较低时，抑制浪涌电流压敏电阻，压敏电阻的电阻值相对较大，电流通过时受到的阻碍也较大。然而，当外加电压增加到一定程度（即达到压敏电阻的阈值电压）时，其内部的半导体材料会发生雪崩击穿效应或齐纳击穿效应（具体取决于材料的类型和结构），导---阻值急剧下降，电流迅速增加。这种非线性变化使得压敏电阻能够有效地---过电压，保护后续电路不受损害。
在雪崩击穿效应中，柱状测温型压敏电阻，当外加电压足够高时，压敏电阻，半导体材料中的载流子（电子和空穴）会被加速并碰撞产生更多的载流子，形成雪崩倍增效应，导---阻值迅速下降。
突波吸收器，也被称为压敏电阻器，是一种重要的电子元器件，主要用于保护电子设备免受雷击、电磁脉冲等---电压的影响。其作用在于通过吸收、反射和耗散电磁能量，保护连接线路和电子设备免受损坏。
在电子设备、计算机网络、通讯系统、变电站、火车站、医院和系统等众多场合，突波吸收器都得到了广泛的应用。它的主要原理是基于击穿电压和反应时间的特性，当突然出现高电压时，突波吸收器能够迅速引导电流流过，将电磁能量转化为热能或反射回去，从而防止电子设---到损害。
此外，突波吸收器还具有非线性电阻变化的特性，在双向（正、反）电压作用下，能对线路上的异常电压进行反应，吸收掉大部分的突波或浪涌能量，并将异常电压抑制在安全范围内，从而提高线路的安全性和稳定性。
在选择和使用突波吸收器时，需要考虑电压波动是否能够承受连续工作电压的允许值，以防止其使用寿命缩短。同时，也要---突波吸收器所吸收的浪涌电流小于产品的通流量。
综上所述，突波吸收器在电子设备保护领域扮演着不可或缺的角色，它通过的工作原理和特性，有效地提高了电子设备的安全性和稳定性。
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