吸收突波热敏电阻-热敏电阻-广东至敏电子有限公司

1、功率型ntc热敏电阻的r25阻值的选择。

电路允许的大启动电流值决定了功率型ntc热敏电阻的阻值。

假设电源额定输入为220vac，玻封测温型热敏电阻，内阻为1ω，允许的大启动电流为60a，那么选取的功率型ntc在初始状态下的阻值为：rmin=（220×1.414/60）-1=4.2（ω）

针对此应用我们建议选用功率型ntc热敏电阻的r25阻值≧4.2ω。

2、功率型ntc热敏电阻的大稳态电流的选择。

大稳态电流的选用的原则应该满足：电路实际工作电流 < 功率型ntc热敏电阻的大稳态电流。

很多电源是宽电压设计（ac 85v-264v），但产品的功率是固定的，因此要注意在低电压输入时，工作电流要比高电压输入时高许多。

根据公式： p=u*i ，在相同的功率条件下，如在85v的输入电压时，工作电流是264v的输入电压时的3倍。因此电路的实际工作电流以电压时计算的为准。

ptc热敏电阻

　　ptc（是指在某一温度下电阻急剧增加、具有正温度系数的热敏电阻现象或材料，可专门用作恒定温度传感器．该材料是以batio3或srtio3或pbtio3为主要成分的烧结体，其中掺入微量的nb、ta、bi、sb、y、la等氧化物进行原子价控制而使之半导化，常将这种半导体化的batio3等材料简称为半导（体）瓷；同时还添加增大其正电阻温度系数的mn、fe、cu、cr的氧化物和起其他作用的添加物，采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化，从而得到正特性的热敏电阻材料．其温度系数及居里点温度随组分及烧结条件（尤其是冷却温度）不同而变化

　　钛酸钡半导瓷的ptc效应起因于粒界（晶粒间界）．对于导电电子来说，晶粒间界---当于一个势垒．当温度低时，由于钛酸钡内电场的作用，导---子极容易越过势垒，则电阻值较小．当温度升高到居里点温度（即临界温度）附近时，内电场受到破坏，它不能帮助导电电子越过势垒．这相当于势垒升高，电阻值突然增大，产生ptc效应．钛酸钡半导瓷的ptc效应的物理模型有海望表面势垒模型、丹尼尔斯等人的钡缺位模型和叠加势垒模型，它们分别---同方面对ptc效应作出了合理解释．

　　实验表明，热敏电阻，在工作温度范围内，吸收突波热敏电阻，ptc热敏电阻的电阻-温度特性可近似用实验公式表示：

　　rt=rt0expbp（t-t0）

　　式中rt、rt0表示温度为t、t0时电阻值，bp为该种材料的材料常数．

　　ptc效应起源于陶瓷的粒界和粒界间析出相的性质，并随杂质种类、浓度、烧结条件等而产生---变化．近，进入实用化的热敏电阻中有利用硅片的硅温度敏感元件，这是体型且精度高的ptc热敏电阻，由n型硅构成，因其中的杂质产生的电子散射随温度上升而增加，从而电阻增加