.电容c0：
指压敏电阻器两电极间呈现的电容，在几pf～几百nf的范围内。体积越小，压敏电压越高，电容越小。
漏电流il：
非线性指数α：
指电压的变化对电流的影响能力，可用公式表示为：
i=kuα或α=loglog
由前式可见，α越大表明电压的变化对电流的影响能力越大，非线性特性越好。由后式可见，圆片式压敏电阻供应商，α是伏安特性上各点斜率的倒数，特性越平坦的地方，α越大(漏电流区和饱和区α=1，又称低α区)。用仪器测量时，一般设定i2=1ma，i1=0.1ma，所以 αt=1/log(u1ma/u0.1ma)
整个陶瓷就是由许多背靠背双向npn结串并联的组合体。
由于氧化锌压敏陶瓷晶界非常薄，仅有埃数量级，则当施加电压小于其反向pn结击穿电压时，属于肖特基势垒热电子发射电导，其导通电流与pn结势垒及温度有关；当施加电压大于其反向pn结击穿电压（3.2v）时，属于隧道电子击穿导电，广东圆片式压敏电阻，其导通电流只与所施加电压有关，隧道电子击穿时间是几十到百皮秒。
实际使用中，压敏电压越高，施加的冲击电流越大，---电压(或称残压)就越高，可从产品给出的v-i曲线上查到。
额定能量e：
额定功率(大平均功率)pm：
指压敏电阻器在室温下，圆片式压敏电阻厂商，连续承受多次冲击，且各次冲击之间间隔时间较短，因而有热积累效应的情况下，能够承受的大平均功率。尽管压敏电阻能承受很大的脉冲功率，圆片式压敏电阻厂家，但能承受的平均功率却很小。
式中：ip、vc见上，t为脉冲宽度，k为与波形有关的常数。对于8/20μs波和10/1000μs波，k=1.4；对于2ms方波，k=1。
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